DUVLED灯珠">DUVLED灯珠原理及特性1、DUVLED灯珠的发光机理：PN结的端电压形成一定的势垒，当加正偏压时势垒减小，P区和N区的大都载流子相互分散。由于电子迁移率远大于空穴迁移率，因此在P区内会出现大量电子分布，并在P区形成少量载体。这类电子与价带上的空穴复合，并通过光能的方式释放出合成后的能量。也就是PN结发光原理。DUVLED灯珠线光源固化设备DUV灯珠线光源固化设备2、DUV灯珠发光功率：通常称为组件的外部量子功率，它是组件内部量子功率与组件取出功率的乘积。我们所说的组件的内部量子功率，本来就是组件本身的光电转换功率，首先涉及到组件本身的特性(如能带、缺陷、杂质等)，以及组件本身的垒晶结构和构造等。但组件取出能量指的是组件内部产生的光子，经过组件本身的吸收、折射、反射后，实际操作中组件外部可测量的光子数。因此，对于取出功率的影响因素包括元件本身的吸收率、元件的几何结构、元件和封装元件的折射率差以及元件结构的散射特性等。其中，内部量子功率是组件取力的乘积，即是组件整体发光的部分，也就是组件外部量子功率。前期组件开展会集过程中，提高其内部量子功率，首先的方法是通过提高垒晶质量和改变垒晶结构，使电能不易转化为热能，进而直接提高深紫外LED灯珠的发光功率，然后再提高70%的理论内部量子功率，但如此的内部量子功率现在几乎接近理论极限。这样的话，光靠进步元件的内部量子功率就不可能提高元件的总光量，所以进步元件的取出光能就成为首要的研究课题。现在最主要的方法是：改变晶粒的外部形状——TIP结构，改变表面粗糙度。

3.深紫外LED灯珠电气特性：电流控制型装置，负载特性与PN结的UI曲线相似，导通电压的极小变化将导致正向电流(指数级)的显著变化，反向漏电流较小，还有反向击穿电压。应选择适合实际使用的方法。随着温度的增加，深紫外LED灯珠的正向电压减小，且温度系数为负值。深色紫外LED灯珠耗电，部分转换成光能，这正是我们所需要的。其余转化热能，使结温增加。可以用所释放的热量(功率)表示。4.深紫外LED灯珠的光学特性：深紫外LED灯珠提供一种半宽度的单色光，由于半导体的能隙随着温度的升高而减小，因此其发光的峰值波长随着温度的升高而增加，即光谱红移，温度系数为+2~3A/。深色紫外LED珠光亮度L随正向电流而变化。提高电流，可以近似提高发光亮度;环境温度越高，复合功率越低，发光强度越低，其他发光亮度也越低。深紫外LED灯珠热学特性：电流较小，温度升高不明显。当环境温度较高时，深紫外发光灯珠的主波波长会发生红移，亮度降低，发光均匀度下降，一致性变差。特殊点阵、大屏温升对LED的可靠性、稳定性有较大影响。因此散热设计是关键。六、深紫外LED灯珠寿命：深紫外LED灯珠长期工作会导致光衰老化，尤其是大功率深紫外LED灯珠，光衰问题更为严重。当测量深紫外LED灯珠的寿命时，仅仅把灯泡的损坏程度作为深紫外LED灯珠寿命的终止值是远远不够的，应该用深紫外LED灯珠的光衰百分比来表示LED的寿命，比如35%，这样比较合理。高功率深紫外发光二极管封装：首先考虑散热和出光。在散热方面，采用铜基散热衬，再与铝基散热器连接，晶粒与热衬之间采用锡片焊接，该散热方式效果更好，性价比更高。出光方面，选择芯片倒装技能，并在底面和旁面增加反射面来反射糟蹋光能，这样就能得到更多有消出光。