现现在led灯珠死灯缘由有几千种，所以今天led灯珠厂家就已LED灯珠的几年夜原材料入手，led灯珠厂家先从芯片介绍可能死灯的缘由：

芯片：

1、芯片外延缺点。LED外延片在高温长晶进程中，衬底、MOCVD反映腔内残留的沉积物、外围气体和Mo源城市引入杂质，这些杂质会渗透磊晶层，禁止氮化镓晶体成核，构成各类晶台led灯珠各样的外延缺点，在外延层概况构成细小坑洞，这些也会严重影响外延片薄膜材料的晶体质量和机能。

2、芯片的受损。LED芯片的受损会直接致使LED掉效，是以提高LED芯片的靠得住性相当主要。蒸镀进程中有时需用弹簧夹固定芯片，是以会发生夹痕。黄光功课若显影不完全及光罩有破洞会使发光区有残存多出的金属。晶粒在前段制程中，各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等功课都必需利用镊子及花篮、载具等，是以会有晶粒电极刮伤的环境产生。

3、新布局工艺的芯片与光源物料的不兼容。新布局的LED芯片电极中有一层铝，其感化为在电极中构成一层反射镜以提高芯片出光效力，其次可在必然水平上削减蒸镀电极时黄金的利用量从而下降本钱。但铝是一种比力活跃的金属，一旦封装厂来料管控不严，利用含氯超标的胶水，金电极中的铝反射层就会与胶水中的氯产生反映，从而产生侵蚀现象。

4、芯片抗静电能力差。led灯珠厂家认为LED灯珠的抗静电指标凹凸取决于LED发光芯片自己，与封装材料估计封装工艺根基无关，或说影响身分很小，很细微;LED灯更轻易蒙受静电毁伤，这与两个引脚间距有关系，LED芯片裸晶的两个电极间距很是小，通常为一百微米之内吧，而LED引脚则是两毫米摆布，当静电电荷要转移时，间距越年夜，越轻易构成年夜的电位差，也就是高的电压。所以，封成LED灯后常常更轻易呈现静电毁伤变乱。